КТ316 , 2Т316

Справочник по отечественным транзисторам

КТ316 , 2Т316 (кремниевый транзистор, n-p-n)

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.

Прибор	Предельные параметры									Параметры при T = 25°C										R_{Т п-с} (R_{Т п-к}), °C/Вт
			при T = 25°C
	I_{К, max} мА	I_{К и. max} мА	U_{КЭR max} (U_{КЭ0 max}), В	U_{КБ0 max}, В	U_{ЭБ0 max}, В	P_{К max}, (P_max), мВт	T, °C	T_{п max}, °C	T_max, °C	h_21Э (h_21э)	U_КБ (U_КЭ), В	I_Э (I_К), мА	U_{КЭ нас}, В	I_КБ0, (I_КЭR), мкА	f_гр (f_h21), МГц	К_ш, дБ	C_К, пФ	C_Э, пФ	t_рас, нс
КТ316 А	50	50	10	10	4	(150)	90	150	125	20...60	(1)	10	0,4	0,5	600		3	2,5	10	550
КТ316 Б	50	50	10	10	4	(150)	90	150	125	40...120	(1)	10	0,4	0,5	800		3	2,5	10	550
КТ316 В	50	50	10	10	4	(150)	90	150	125	40...120	(1)	10	0,4	0,5	800		3	2,5	15	550
КТ316 Г	50	50	10	10	4	(150)	90	150	125	20...100	(1)	10	0,4	0,5	600		3	2,5		550
КТ316 Д	50	50	10	10	4	(150)	90	150	125	60...300	(1)	10	0,4	0,5	800		3	2,5		550
2Т316 А	30	50	10	10	4	(150)	75	150	125	20...60	(1)	10	0,4	0,5	600		3	2,5	10	550
2Т316 Б	30	50	10	10	4	(150)	75	150	125	40...120	(1)	10	0,4	0,5	800		3	2,5	10	550
2Т316 В	30	50	10	10	4	(150)	75	150	125	40...120	(1)	10	0,4	0,5	800		3	2,5	15	550
2Т316 Г	30	50	10	10	4	(150)	75	150	125	20...100	(1)	10	0,4	0,5	600		3	2,5		550
2Т316 Д	30	50	10	10	4	(150)	75	150	125	60...300	(1)	10	0,4	0,5	800		3	2,5		550